SNS-VN

Silicon carbide thiêu kết và liên kết phản ứng: khác nhau thế nào

Silicon carbide (SiC) là vật liệu mặt phớt phổ biến nhờ độ cứng cao, chịu mài mòn và dẫn nhiệt tốt. Tiêu chuẩn API 682 bản thứ tư chấp nhận cả hai loại SiC làm vật liệu mặt phớt mặc định. Tuy nhiên hai loại này có điểm khác nhau cần biết.

SiC liên kết phản ứng (RBSiC)

Được tạo ra bằng cách cho silicon nóng chảy thấm vào hỗn hợp SiC và carbon. Sản phẩm chứa một lượng silicon tự do. Ưu điểm là chi phí thấp hơn, nhưng silicon tự do có thể bị tấn công bởi một số hóa chất mạnh như kiềm đậm đặc hoặc axit đặc biệt.

SiC thiêu kết (SSiC)

Được thiêu kết ở nhiệt độ rất cao không có silicon tự do. Chịu ăn mòn hóa học tốt hơn và phù hợp nhiều loại môi chất hơn, thường có giá cao hơn.

Cách chọn

  • Môi chất ăn mòn mạnh hoặc pH cực đoan: ưu tiên SSiC.
  • Dịch vụ thông thường với nước hoặc hydrocarbon: RBSiC thường đáp ứng tốt.
  • Luôn kiểm tra bảng tương thích hóa học của nhà sản xuất.

Nguồn tham khảo

Pumps and Systems, tổng hợp kiến thức vật liệu kỹ thuật phổ biến. Bài viết do SNS-VN tổng hợp.